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一般建筑物上的避雷針只能預防直擊雷。目前，直擊雷造成的災害已明顯減少，而隨著科技和經濟的發(fā)展，感應雷造成的危害卻大大增加。

雷電直擊微電子設備及系統的可能性不大，但是雷擊附近大地、建筑物、交流供電線路或空中雷電感應形成的沖擊過電壓，都有可能通過與之相連的電源線、信號傳輸線或接地系統，侵入微電子設備及系統，輕則引起系統失靈，重則導致系統或元器件永久損壞。

據國外一家保險公司統計，在各種災害造成的損害中，感應雷擊造成的損害高居榜首，占全部災害損失的33．8％。

建筑物的防雷分類

建筑物應根據其重要性、使用性質、發(fā)生雷電事故的可能性和后果，按防雷要求分三類。

遇下列情況之一時，應劃為第一類防雷建筑物：

凡制造、使用或貯存炸藥、火藥、起爆藥、火工品等大量爆炸物質的建筑物，因電火花而引起爆炸，會造成巨大破壞和人身傷亡者。

遇下列情況之一時，應劃為第二類防雷建筑物：

A.國家級重點文物保護的建筑物。

B.國家級的會堂、辦公建筑物、大型展覽和博覽建筑物、大型火車站、國賓館、國家級檔案館、大型城市的重要給水水泵房等特別重要的建筑物。

C.國家級計算中心、國際通訊樞紐等對國民經濟有重要意義且裝有大量電子設備的建筑物。

D.制造、使用或貯存爆炸物質的建筑物，且電火花不易引起爆炸或不致造成巨大破壞和人身傷亡者。

遇下列情況之一時，應劃為第三類防雷建筑物：

省級重點文物保護的建筑物及省級檔案館。

一類：如易燃、易爆場所

二類：如國家級歷史文物

三類：如省級歷史文物、一般工業(yè)建筑

2.2.2防雷區(qū)（LPZ）的劃分

防雷區(qū)以其交界處的電磁環(huán)境有明顯改變作為劃分不同防雷區(qū)的特征。

防雷區(qū)宜按以下規(guī)定分區(qū)：

 LPZO_A區(qū)——本區(qū)內的各物體都可能遭受直接雷擊和導走全部雷電流，本區(qū)的雷電電磁場沒有衰減。

 LPZO_B區(qū)——本區(qū)內的各物體不可能遭受直接雷擊，但本區(qū)內的雷電電磁場的量級與1 LPZO_A區(qū)一樣。

 LPZ1區(qū)——本區(qū)內的各物不可能遭受直接雷擊，流經各導體的電流比LPZO_B區(qū)更小，本區(qū)內的雷電電磁場可能衰減（雷電電磁場與LPZO_A區(qū)、LPZO_B區(qū)可能不一致），這取決屏蔽措施。

后續(xù)防雷區(qū)（LPZ2等）——當需要進一步減小雷電流和電磁場時，應引入后續(xù)防雷區(qū)，并按照需要保護的系統所要求的環(huán)境選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。

在兩個防雷區(qū)的界面上，應將所有通過界面的金屬物做等電位連接，并宜采用屏蔽措施。